豁出去了？三星豪掷50000亿韩元扩产4nm以抢单台积电

  【天极网数码频道】台积电凭借其先进制程的技术优势，稳坐晶圆代工市场的头把交椅，而三星作为追随者这么多年来一直在寻找赶超台积电的机会。可惜三星最近几代工艺的问题太多，导致高通都转投台积电，三星自然不会善罢甘休。

  据外媒报道，三星现在正向晶圆代工先进制程发起冲锋，继在 6 月底宣布 3nm 领先业界量产后，其4nm 的良品率也已经有了显著提升，并且正在准备扩大其产能，预计到今年第四季度每月将会新增 2 万片产能，准备在 4nm 制程上上豪掷约 50000 亿韩元(约 258 亿元人民币)的投资，以此希望能够从台积电手上抢下更多高通、AMD、英伟达等大厂的晶圆代工订单。

  业界指出，三星晶圆代工产能过往约六成提供自家芯片生产，其余承接委外订单，今年积极扩产，并扩大承接晶圆代工订单，将自家芯片产能占比降至五成。研究机构估计，三星在先进制程产能规模上仍仅约台积电五分之一。

  早在6月份，三星电子就已经正式官宣，已于韩国的华城工厂大规模开始量产3nm芯片，与前几代使用的FinFET的芯片不同，三星使用了GAA晶体管架构，能极大改善芯片的功率以及效率。

  与之前的5nm相比，新一代的3nm制程工艺降低了45%的功耗，并且性能提升23%的同时减少16%的面积。三星还宣称，第二代的3nmGAA制造工艺也尚在研发中，下一代工艺将使芯片的功耗降低50%，性能提升30%并减少35%的面积。三星电子表示，其GAA晶体管芯片将会应用于高性能、低功耗的计算领域，并计划拓展到移动处理器。

  三星电子的3nm芯片采用了GAA架构通过降低电源电压和增强驱动电流的能力来有效提升功率。此外，三星还在高性能智能手机处理器的半导体芯片中也应用过纳米片晶体管，与纳米线技术相比，前者拥有更宽的通道，以及具备更高的性能和效率。三星的客户可通过调整纳米片的宽度，来定制自己需要的功耗和性能指标。

  最直观的就是在5nm工艺时，采用三星5nm工艺制程打造的骁龙8早早地就翻了车，迫使高通不得不将之后的订单悉数交给台积电，而由台积电代工的骁龙8+在性能功耗等各个方面都远超三星5nm工艺的骁龙8。这主要是因为三星的5nm工艺对比台积电的5nm工艺在晶体管密度这块就相差了35%。因此，就连英伟达就宣布下一代40系显卡将采用台积电的N4工艺打造，不带三星玩了。

  以下是代码片段：

  有消息称，三星旗下的Exynos 2300处理器可能会使用3nm工艺制造，并在明年的Galaxy S23系列上搭载。但也有消息称，由于三星Exynos 处理器的表现未达预期，Galaxy S23系列极有能全部采用高通的解决方案。此外，谷歌第三代Tensor芯片也可能采用三星3nm工艺，并在Pixel 8系列上搭载。高通在即将发布的骁龙 8 Gen2上选择了台积电的4nm工艺，可能是真的被三星的5nm工艺坑怕了吧。

  此次三星豪掷重金，不知能否在4nm制程工艺上成功抢单台积电，看来半导体行业又将风起云涌了。