东芝发布24纳米工艺的新型嵌入式NAND闪存

  【天极网数码频道】东芝今日发布基于24纳米工艺的“SmartNAND™”*系列产品。通过此产品，东芝将进一步扩大其NAND闪存的产品线。“SmartNAND™”在NAND封装中集成错误管理系统。全新芯片可以简化系统端的设计，并且可以将先进工艺的NAND应用于消费电子产品中，包括数字音频播放器、平板电脑、信息设备、数字电视、机顶盒和其他需要大容量非易失性存储器的应用。

  全新SmartNAND产品系列的样品将于四月中旬面市，将于2011 年第二季度(四月至六月)正式开始量产。

  SmartNAND 产品系列将前沿的24纳米工艺NAND 闪存与支持纠错码 (ECC:Error Correction Code)的控制芯片整合。最新的产品线包含4至64GB的五种容量，尤其旨在实现协议变更最小化的同时减轻系统端在处理ECC时的负担。SmartNAND 产品家族主要针对便携式媒体播放器、平板电脑和其它消费数字产品。

  全新24纳米产品系列将取代当前的 32纳米产品，其先进工艺结合了处理速度更快的控制器和内部接口，从而能实现更快的读写速度，提高整体性能。SmartNAND 也支持一系列读写速度，以适应不同的设计目标，新的产品将提供四种读取模式和两种写入模式。

  新产品继续使用传统NAND接口，并包括一系列针对大容量和高性能应用所优化的全新功能。管理比特错误对于数字产品维持可接受性能和可靠性而言至关重要。将错误管理系统与 NAND 闪存集成在同一封装中，有利于东芝客户利用大容量，且具有卓越错误管理性能的先进闪存解决方案。

  目前市场对于支持高分辨率视频和增强型存储的大容量存储芯片，特别是包含控制器功能的嵌入式存储器的需求不断增长。包含控制器功能的嵌入式存储器能最大程度地降低开发要求，降低集成至系统设计中的难度。东芝已成为此关键领域中的领头羊。现在通过进一步升级SmartNAND，东芝将巩固其领先地位。

  主要特点

  1. 集成纠错(ECC)和前沿的24纳米工艺能提高速度性能，使得读取速度和写入速度较当前产品分别快1.9倍和1.5倍。

  2. 东芝的SmartNAND提供一系列读写速度以优化速度性能;将提供四种读取速度及两种写入速度。为满足低功耗要求，我们也提供省电模式。

  3. 东芝的SmartNAND使用标准的 NAND接口，可应用于现有的主控制器，必要时只需简单的驱动软件支持。所有这些能简化系统开发，从而确保厂商节约开发成本，缩短新产品和升级产品投入市场的时间。